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[发明专利]一种硅基芯片调节装置、耦合装置及耦合方法-CN202011444859.3有效
发明人：严杰;傅焰峰 -专利权人：武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
申请日： 2020-12-08 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本申请公开了一种硅基芯片调节装置，用以对硅基芯片与光器件进行耦合，包括调整机构、夹持机构、过渡PCB板以及吸取机构。调整机构具有可调节的配合台；夹持机构安装在配合台上，形成有固定部和夹持部，夹持部对硅基芯片形成夹紧状态或松开状态；过渡PCB板设置在固定部上，与硅基芯片电连接；吸取机构可调节地设置在配合台上，调整吸取机构位置以靠近硅基芯片，使吸取机构吸取硅基芯片；通过调整机构调整配合台的位置，进而调整硅基芯片的位置，使硅基芯片与光器件进行耦合。同时还提供了一种硅基芯片耦合装置及耦合方法，在硅基芯片与光器件耦合时可以调整硅基芯片以及光器件的位置，提高了硅基芯片和光器件的耦合效率以及器件性能。
一种芯片调节装置耦合方法

[发明专利]一种图形化高能重离子注入的低损耗硅基射频无源器件的制作方法-CN201410233451.X在审
发明人：曾建平;熊永忠;唐海林;刘超;李一虎;邓小东 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2014-05-29 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种图形化高能重离子注入的低损耗硅基射频无源器件的制作方法，解决了硅基射频无源器件严重的衬底损耗问题，并且具有优化硅基无源器件寿命和抑制高温下工作性能退化的效果，其包括如下步骤：（a1）选择一低阻硅基衬底；（a2）在低阻硅基衬底顶部按照硅基工艺制作射频无源器件；（a3）从低阻硅基衬底底部注入图形化高能重离子，实现高能重离子注入区硅基衬底非晶化，获得图形化高阻硅基衬底，还可利用掩模或掩模板注入高能重离子，本发明通过图形化高能重离子注入轰击低阻硅基衬底，提高硅基无源器件下方衬底的电阻率，降低射频无源器件的衬底损耗，从而达到硅基射频无源器件的低损耗目的。
一种图形高能离子注入损耗射频无源器件制作方法

[发明专利]一种高发光效率的硅基发光器件-CN202110802640.4在审
发明人：陈艳军 -专利权人：成都普瑞德半导体有限公司
申请日： 2021-07-15 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明属于发光器件技术领域，尤其是一种高发光效率的硅基发光器件，现提出以下方案，包括硅基发光器件本体，所述硅基发光器件本体的内部设置有P区，且硅基发光器件本体的内部设置有N区，所述P区和N区的底部外壁设置有PN结，所述硅基发光器件本体的内部设置有挖槽，且挖槽将PN结周围挖空，所述硅基发光器件本体的内部设置有负极，且硅基发光器件本体的内部设置有正极。本发明通过设置有挖槽，PN结通过挖槽变成立体器件之后，结区面积被有效扩大了,让PN结增加了侧面发光区域，提高了发光效率,同时，通过增加A‑A’方向挖槽的数量，可以大幅度增加侧面空间电荷区的数量，进一步提高
一种发光效率器件

[发明专利]一种改善电磁兼容的功率器件-CN202310884283.X在审
发明人：孟祥翰;章涛;李继华;朱廷刚 -专利权人：江苏能华微电子科技发展有限公司
申请日： 2023-07-19 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本发明公开一种改善电磁兼容的功率器件，涉及半导体功率器件领域；该功率器件包括：GaN器件、开关器件和开关驱动模块；开关器件包括硅基场效晶体管；硅基场效晶体管的栅极作为功率器件的栅极；硅基场效晶体管的源极作为功率器件的源极；硅基场效晶体管的漏极与GaN器件的源极连接；GaN器件的漏极作为功率器件的漏极；开关驱动模块的一端与GaN器件的栅极连接；开关驱动模块的另一端与硅基场效晶体管的源极连接；本发明能够降低电压应力，改善电磁兼容
一种改善电磁兼容功率器件

[发明专利]一种硅基氮化镓HEMT器件及其制备方法-CN202310736872.3在审
发明人：伊艾伦;欧欣;周民 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本公开涉及一种硅基氮化镓HEMT器件及其制备方法，该方法包括：对N型导电碳化硅衬底进行离子注入；对离子注入后的N型导电碳化硅衬底的表面进行绝缘处理，得到绝缘处理后的N型导电碳化硅衬底；获取硅衬底；将硅衬底与绝缘处理后的N型导电碳化硅衬底进行键合，对键合后的复合衬底进行剥离处理，得到复合硅基衬底；对复合硅基衬底的表面进行绝缘处理，得到绝缘处理后的复合硅基衬底；于绝缘处理后的复合硅基衬底的表面外延氮化镓薄膜；于氮化镓薄膜的表面制备HEMT器件层，得到硅基氮化镓HEMT器件。本公开的硅基氮化镓HEMT器件制备方法，不仅可以降低制备成本，还可以扩大硅基氮化镓HEMT器件的尺寸。
一种氮化 hemt 器件及其制备方法

[发明专利]硅基共晶键合结构、微机械器件、封装结构及制备方法-CN202110469693.9有效
发明人：梁亨茂 -专利权人：华南农业大学
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本发明公开一种硅基共晶键合结构、微机械器件、封装结构及制备方法，该硅基共晶键合结构包括被包裹在绝缘层中的硅凸台，所述硅凸台的表面高度高于或等于位于硅凸台底部的绝缘层的表面高度；该微机械器件中的器件单元通过硅基共晶键合结构与衬底单元键合连接，衬底硅片的电极由硅基共晶键合结构引出至器件硅片上；利用硅局部氧化方法形成硅凸台结构，暴露器件硅区域，保证器件可动结构的刻蚀穿透；该微机械封装结构中的盖板封装互连结构单元由硅基共晶键合结构与微机械器件键合以机械与电气连接本发明通过两次硅局部氧化层的厚度调控实现硅凸台的表面高度高于或等于绝缘层的表面高度，提升硅基共晶键合结构的机械连接可靠性和电学接触可靠性。
硅基共晶键合结构微机器件封装制备方法

[实用新型]一种硅基OLED器件的新型散热结构-CN202222950037.3有效
发明人：温质康;庄丹丹;乔小平 -专利权人：福建华佳彩有限公司
申请日： 2022-11-03 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10K50/87 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅基OLED器件的新型散热结构，涉及硅基OLED器件散热技术领域。所述结构包括：CMOS器件、ALN薄膜层、OLED器件、薄膜封装层、CF+BM层、盖板玻璃以及金属散热层；其中BM层胶材中添加散热粒子，加快器件中的热量往外传导，金属散热层呈阶梯状、波浪形或翅片状，可以很好地与外边框紧密贴合本实用新型提供的一种硅基OLED器件的新型散热结构，降低硅基OLED的运行温度，延长了硅基OLED器件的寿命。
一种 oled 器件新型散热结构

[实用新型]一种高发光效率的硅基发光器件-CN202121612568.0有效
发明人：陈艳军 -专利权人：成都普瑞德半导体有限公司
申请日： 2021-07-15 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本实用新型属于发光器件技术领域，尤其是一种高发光效率的硅基发光器件，现提出以下方案，包括硅基发光器件本体，所述硅基发光器件本体的内部设置有P区，且硅基发光器件本体的内部设置有N区，所述P区和N区的底部外壁设置有PN结，所述硅基发光器件本体的内部设置有挖槽，且挖槽将PN结周围挖空，所述硅基发光器件本体的内部设置有负极，且硅基发光器件本体的内部设置有正极。本实用新型通过设置有挖槽，PN结通过挖槽变成立体器件之后，结区面积被有效扩大了,让PN结增加了侧面发光区域，提高了发光效率,同时，通过增加A‑A’方向挖槽的数量，可以大幅度增加侧面空间电荷区的数量，进一步提高
一种发光效率器件

[发明专利]微声多信道选通放大模块半导体封装结构及其制备方法-CN202310135274.0有效
发明人：陈晓阳;叶志;魏家贵;王永安;王宇;孙志国;孟腾飞;高黄杰 -专利权人：北京航天微电科技有限公司
申请日： 2023-02-20 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：本发明提供一种微声多信道选通放大模块半导体封装结构及其制备方法，属于半导体领域，第一硅基转接板设有多个凹槽以容纳组成微声多信道选通放大模块的元器件裸芯片；第二硅基转接板设有与凹槽相对应的通孔，第二硅基转接板的厚度基于元器件裸芯片的厚度确定；第三硅基转接板设在第二硅基转接板的上方，第三硅基转接板的表面设有微声多信道选通放大模块的控制焊盘和电源焊盘；第一硅基转接板、第二硅基转接板和第三硅基转接板均设有连接线以使得控制焊盘和电源焊盘均与元器件裸芯片进行连接本发明在第一硅基转接板上设凹槽容纳元器件裸芯片，第二硅基转接板设通孔，且厚度基于元器件裸芯片的厚度确定，可大幅缩减结构尺寸，减少寄生参数影响。
微声多信道放大模块半导体封装结构及其制备方法

[发明专利]基于图形化高能离子注入的低衬底损耗硅基集成电路及其制作方法-CN201410212952.X在审
发明人：曾建平;熊永忠;唐海林;刘超;李一虎;邓小东 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2014-05-20 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于图形化高能离子注入的低衬底损耗硅基集成电路及其制作方法，主要解决了现有技术中存在的硅基集成电路存在严重的衬底损耗，导致器件的工作频率降低的问题。其包括图形化的硅基衬底及按照硅基工艺制作在该硅基衬底上的硅基集成电路，所述硅基衬底包括低阻硅基衬底和完成硅基集成电路制作后利用图形化的高能离子从低阻硅基衬底底部注入实现高阻改性的高阻硅基衬底，所述低阻硅基衬底位于硅基集成电路中硅基有源器件下方，所述高阻硅基衬底位于硅基集成电路中硅基无源器件下方。
基于图形高能离子注入衬底损耗集成电路及其制作方法

[发明专利]一种硅基OLED器件的新型散热结构及制作方法-CN202211367773.4在审
发明人：温质康;庄丹丹;乔小平 -专利权人：福建华佳彩有限公司
申请日： 2022-11-03 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H10K50/87 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基OLED器件的新型散热结构及制作方法，涉及硅基OLED器件散热技术领域。所述结构包括：CMOS器件、ALN薄膜层、OLED器件、薄膜封装层、CF+BM层、盖板玻璃以及金属散热层；其中BM层胶材中添加散热粒子，加快器件中的热量往外传导，金属散热层呈阶梯状、波浪形或翅片状，可以很好地与外边框紧密贴合本发明提供的一种硅基OLED器件的新型散热结构及制作方法，降低硅基OLED的运行温度，延长了硅基OLED器件的寿命。
一种 oled 器件新型散热结构制作方法

[发明专利]三电平两级解耦有源NPC转换器-CN201880045886.8有效
发明人：张迪;何江彪;萨钦·玛杜苏德哈南 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H02M7/487 文献下载
摘要：电压转换器包括多个分支，其中每个分支包括第一组和第二组硅(Si)基功率器件。第一组硅基功率器件包括在第一互连节点处彼此连接的第一和第二硅基功率器件，并且第二组硅基功率器件包括在第二互连节点处彼此连接的第三和第四硅基功率器件。第一组和第二组硅基功率器件分别跨第一和第二DC电压源联接。第一组碳化硅(SiC)基功率器件跨第一互连节点和第二互连节点联接。该系统还包括跨第一和第二互连节点连接的缓冲电容器。
电平两级有源 npc 转换器

[实用新型]硅基液晶器件及空间光调制器-CN202021637941.3有效
发明人：陈弈星 -专利权人：南京芯视元电子有限公司
申请日： 2020-08-10 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： G02F1/1345 文献下载
摘要：本实用新型提供一种硅基液晶器件及空间光调制器，光学器件技术领域，能够有效的提高硅基液晶器件的导电良率，进而提高硅基液晶器件及包括硅基液晶器件的光学设备的可靠性。包括基板和设置在基板上的硅芯片，硅芯片上设置有液晶层以及与硅芯片对盒的透明导电基板，透明导电基板在基板上的投影包括覆盖硅芯片的中心区域，以及围绕中心区域的周边区域，在周边区域形成有条形导电层，条形导电层分别电连接透明导电基板与基板上的信号连接点
液晶器件空间调制器

[发明专利]芳基(硫)醚芳基聚硅氧烷组合物及其制备和使用方法-CN200710197003.9有效
发明人： D·W·莫斯利;G·卡纳里昂 -专利权人：罗门哈斯公司
申请日： 2007-11-30 - 公布日： 2008-12-10 - 主分类号： C08L83/08 文献下载
摘要：揭示了一种可固化的芳基(硫)醚芳基硅组合物。还揭示了固化的芳基(硫)醚芳基聚硅氧烷组合物以及由所述可固化的芳基(硫)醚芳基硅组合物制备所述固化的芳基(硫)醚芳基聚硅氧烷组合物的方法。还揭示了一种包封的半导体器件，以及通过用固化的芳基(硫)醚芳基聚硅氧烷涂敷半导体器件的半导体元件来制备所述包封的半导体器件的方法。
芳基醚芳基聚硅氧烷组合及其制备使用方法

[实用新型]一种OLED微显示结构-CN202122316557.4有效
发明人：杭鑫 -专利权人：安徽熙泰智能科技有限公司
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种OLED微显示结构，包括硅基OLED器件、彩色滤光层和PAD端子，所述硅基OLED器件包括硅基基板，PAD端子位于硅基基板一侧的端部，PAD端子与外部电路连接，彩色滤光层位于硅基OLED器件中封装层的上方。本实用新型通过改变PAD端子的位置，将PAD端子从硅基基板表面移到硅基基板的侧部，模组制程时可以直接从侧面进行绑定，省去了开PAD的步骤，提高了生产效率，节省人力财力，且产品质量一致性好。
一种 oled 显示结构

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